| 型号：MVA50VC10RME55TP | 类别：电容器 | 制造商：United Chemi-Con |
| 封装：径向，Can - SMD | 描述：CAP ALUM 10UF 50V 20% SMD | |
详细参数
| 类别 | 电容器 |
|---|---|
| 描述 | CAP ALUM 10UF 50V 20% SMD |
| 系列 | MVA |
| 制造商 | United Chemi-Con |
| 电容 | 10µF |
| 额定电压 | 50V |
| 容差 | ±20% |
| 寿命0a0温度 | 85°C 时为 2000 小时 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 特点 | 通用 |
| 纹波电流 | 30mA |
| ESR111等效串联电阻222 | 19.89 欧姆 |
| 阻抗 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 径向，Can - SMD |
| 尺寸/尺寸 | 0.197" 直径（5.00mm） |
| 高度_座高111最大222 | 0.205"（5.20mm） |
| 引线间隔 | - |
| 表面贴装占地面积 | 0.209" L x 0.209" W（5.30mm x 5.30mm） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市灿亿佳电子科技有限公司 | 肖佳欣13424184668 |
| 深圳市同亨电子有限公司 | 洪小姐，微信18922857317【0755-23816885】/【18922857317】 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市煌盛达科技有限公司 | 黄086-0755-89367839 |
| 深圳市灿亿佳电子科技有限公司 | 肖佳欣13424184668 |
| GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD | 刘先生13910052844（微信同步） |
MVA50VC10RME55TP相关型号
- MCR03EZPJ2R2
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 2.2 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CECCBH1-12:C
存储器
Micron Technology Inc
100-VBGA
IC FLASH NAND 64GB 100VBGA
- HF50ACB201209-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
0805（2012 公制）
FERRITE CHIP 11 OHM 600MA 0805
- MX25L4006EPI-12G
存储器
Macronix
8-DIP（0.300＂，7.62mm）
IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP
- OMI-SS-248L,500
功率，高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V
- MVA25VE332MM22TR
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD
- MT5VDDT1672HG-26AC3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
- MCR18EZHF2053
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 205K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ2R4
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 2.4 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CFACAWP:C TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
- MX25L512EMI-10G
存储器
Macronix
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC FLASH SER 3V 512KB 8SOP
- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
- OMNI1500XLNAFTA
UPS系统
Tripp Lite
3-SIP
UPS 1500VA 940W 8OUT TOWER
- MVA35VE102ML17TR
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 1000UF 35V 20% SMD
- MT5VDDT1672HY-335F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR 128MB 200-SODIMM
- MCR18EZHF20R5
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ304
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F8G08ABABAWP:B
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
- MX25L6406EMI-12G
存储器
Macronix
16-SOIC（0.295＂，7.50mm 宽）
IC FLASH SER 64MB 86MHZ 16SOP
- OMNI242
RF 天线
RFM
3-SIP
ANTENNA 2.4GHZ 2DBI OMNI TNC
- MT5VDDT3272AY-335F1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE DDR 256MB 184-DIMM
- MCR18EZHF2100
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 210 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT29F8G08ABABAWP:B TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- MCR03EZPJ334
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 330K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- HF50ACC321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
- MX25U1635EZUI-10G
存储器
Macronix
8-UDFN 裸露焊盘
IC FLASH SER 16MB 104MHZ 8USON
- OMNI249
RF 天线
RFM
3-SIP
ANTENNA 2.4GHZ 9DBI OMNI N-CONN
- MVA50VC47RMF80TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 47UF 50V 20% SMD
- MCR18EZHF2101
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 2.10K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT5VDDT3272AY-40BF1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE DDR 256MB 184-DIMM
- MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- MCR03EZPJ361
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 360 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MX25U3235EZNI-10G
存储器
Macronix
8-WDFN 裸露焊盘
IC FLASH 1.8V 32MB 104MHZ 8WSON
- HF50ACC321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
- OMNILOG90200
RF 天线
Kaltman Creations LLC
3-SIP
ANTENNA ISOTRP 700MHZ-2.5GHZ RAD
- MVA50VE102ML22TR
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 1000UF 50V 20% SMD
- MT5VDDT3272HY-335F2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR 256MB 200-SODIMM
- MCR18EZHF2102
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 21.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ390
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 39 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
